삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 웨이퍼 공정 기술 전환에 나섰다. 웨이퍼 휨을 방지하기 위한 신기술 도입이 골자로, 차세대 HBM을 겨냥한 것으로 풀이된다. 공정 전환에 따른 소재 및 장비 공급망 변화도 예상된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행하는 것으로 확인됐다. 웨이퍼 디본딩은 공정 중 얇아진 웨이퍼를 휘지 않게 부착한 임시 웨이퍼(글래스 소재 캐리어 웨이퍼)를 분리하는 작업이다. 웨이퍼 디본딩은 블레이드(칼날)라 불리는 부품을 통해 진행됐다. 반도체가 만들어지는 메인 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 접착제로 붙였다 칼날로 떼어낸다고 해서 메카니컬 디본딩이라고 불린다. HBM 경우 12단·16단처럼 ..