HBM 기술 트렌드는 고단화, 고용량화 인터포저 위에 더 많은 HBM을 올리는 방법적층 단수가 더 높은 HBM을 쓰는 것HBM 한 개 층에 사용되는 DRAM 베이스 다이 용량을 늘리는 것 삼성전자와 마이크론: TC-NCF방식 / SK하이닉스: MR-MUF 방식HBM 웨이퍼는 여러 단으로 적층이 필요한 칩의 특성 상 전공정에서 웨이퍼를 매우 얇게 갈아내므로 워피지, 즉 웨이퍼 휨 현상이 심함TC-NCF는 고온에서 강한 압력으로 누르기 때문에 워피지 측면에서 MRMUF보다 유리그러나 그 과정에서 칩에 스트레스를 주어 칩에 금이 가는 등의 손상을 줄 가능성 또한 높아진다. 발열과 파티클 측면에서도 MRMUF 대비 불리한 것으로 알려져 있다 24년 DRAM 3사가 경쟁적으로 HBM Capa 확장을 추진하고 있지..
